Narastanie objemu informácií núti vedcov pracovať na vývoji nových magnetických materiálov, ktoré by boli schopné uložiť oveľa viac dát než tie súčasné.
Možno by vás trochu zaskočila otázka, či máte práve teraz u seba nejaký magnetický materiál. Pokiaľ ste mimo domova, na ulici, v obchode či reštaurácii, je takmer isté, že by sme u vás takýto materiál našli – s veľkou pravdepodobnosťou máte pri sebe platobnú kartu či mobilný telefón. Na debetnej či kreditnej karte sú potrebné údaje zaznamenané na magnetickom prúžku a pamäťové karty moderných telefónov aj rôznych osobných elektronických zariadení tiež pracujú na magnetickom princípe.
Pretože objem uložených informácií neustále narastá, pracujú vedci mnohých inštitúcií na vývoji inovatívnych magnetických materiálov schopných uložiť viac informácií než tie súčasné. Jednou z ciest zvyšovania kapacity je zmenšovanie hrúbky magnetickej vrstvy. Súčasné pamäte sú tvorené veľmi tenkými trojrozmernými magnetickými vrstvičkami, ktorých hrúbka je niekoľko stoviek či tisícov atómov. Ideálne by bolo zmenšiť túto hrúbku na čo najnižšiu možnú hodnotu – teda na jednoatómovú vrstvu. Výsledkom by nebol trojrozmerný, ale dvojrozmerný magnetický materiál. Takýto materiál sa síce podarilo pripraviť už pred niekoľkými rokmi, ale jeho veľkou nevýhodou bolo, že magnetické vlastnosti vykazoval len pri veľmi nízkych teplotách, a nebol preto vhodný na využitie v bežných zariadeniach s magnetickými pamäťami.
Odstrániť tento nedostatok sa nedávno podarilo americkému vedeckému tímu z Lawrence Berkeley National Laboratory a Kalifornskej univerzity. Tento tím pripravil jednoatómovú vrstvičku z oxidu grafénu, zinku a kobaltu. Výsledný 2D magnet je miliónkrát tenší ako list papiera a možno ho ohýbať do ľubovoľného tvaru. Jednou z hlavných predností nového materiálu je však to, že si zachováva svoje magnetické vlastnosti nielen pri izbovej teplote, ale dokonca až do teploty 100 °C. Nový 2D materiál je najtenším prakticky využiteľným magnetickým materiálom na svete a za jednu z jeho sľubných aplikácií v technike možno považovať pamäťové prvky mobilných elektronických zariadení.
RM