Materiály na pripojenie

Aktuálnu generáciu mobilného pripojenia majú v budúcnosti nahradiť 5G siete. V čom je táto technológia iná a ako by mala vyzerať?

Hoci sa o nástupe piatej generácie (5G) mobilných sietí hovorí už niekoľko rokov a táto téma dokonca nadobudla politický rozmer, jej reálne zavedenie sa neustále odsúva. Hlavným dôvodom meškania je potreba obrovských investícií operátorov do novej infraštruktúry, ktorá si vyžaduje zmenu architektúry komunikačných systémov a technológie doteraz využívaných mikrovlnných obvodov.
Prednáška odborníka vo februárovej vedeckej kaviarni objasní, ako by mali nové 5G siete vyzerať a zameria sa najmä na problematiku vysokorýchlostných obvodov schopných vysielať a prijímať signály s frekvenciami niekoľko desiatok GHz. Špeciálna pozornosť bude venovaná novej generácii mikrovlnných súčiastok, konkrétne tranzistorov na báze nitridu gália – GaN, z ktorého sa vyrábajú napríklad aj biele LED žiarovky. Bude sa hovoriť o tom, ako GaN tranzistory fungujú, čím sú výnimočné a aké sú moderné technológie na ich výrobu.

Nové technológie pre 5G siete

Vo štvrtok 27. 2. 2020 o 17.00 h bude hosťom vedeckej kaviarne Ing. Milan Ťapajna, PhD., z Elektrotechnického ústavu SAV. Vedecké kaviarne pod názvom Veda v CENTRE pravidelne raz do mesiaca organizuje pre širokú verejnosť Národné centrum pre popularizáciu vedy a techniky v spoločnosti pri Centre vedecko-technických informácií SR (CVTI SR) v Bratislave v budove CVTI SR na Lamačskej ceste 8/A na bratislavskej Patrónke. Vstup na podujatie je pre verejnosť voľný.

Ing. Milan Ťapajna, PhD., vyštudoval na Fakulte elektrotechniky a informatiky Slovenskej technickej univerzity v Bratislave, kde získal doktorát v odbore mikroelektronika. V rokoch 2009 až 2011 pôsobil ako výskumný asistent na University of Bristol. Od návratu na Slovensko pôsobí na Elektrotechnickom ústave Slovenskej akadémie vied a vo svojom výskume sa zameriava na štúdium elektrických vlastností a spoľahlivosti nových elektronických súčiastok na báze GaN polovodičov pre ich využitie vo vysokofrekvenčnej a výkonovej elektronike. Od roku 2017 je zástupcom riaditeľa Elektrotechnického ústavu SAV.

R, foto Flickr/Christoph Scholz